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              當前位置：材料測試 ?  材料加工 ? 
              
                
              FIB云現場/現場
              
            
              
            
              
                
              
                    
              
                        
              
                            
              99.4%
              滿意度
              
                            
              
                            
              
                                
                                
                            
              
                            
              
                                
              FIB云現場/現場
              
                                
                                
              
                                    
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              服務周期：
              
                                    
              平均7個工作日完成
              
                                
              
                                
              
                                        
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              張杰
              
                                
              FIB測試工程師
              
                                
              具備多年FIB設備操作經驗。專精于聚焦離子束（FIB）技術，對材料的微觀結構分析和樣品制備有深入理解，在相關領域積累了豐富的實操技能。
              
                            
              
                        
              

                    
              
                        
              項目介紹
              
                        
              聚焦離子束（focused ion beam, FIB）技術是在電場和磁場的作用下，將離子束聚焦到亞微米甚至納米量級，通過偏轉和加速系統控制離子束掃描運動，實現微納圖形的監測分析和微納結構的無掩模加工。
              可提供的服務：
              1. TEM透射樣品制備：針對表面薄膜、涂層、粉末大顆粒、塊體等樣品，在指定位置準確定位切割制備TEM樣品；
              2. SEM/EDS剖面分析：FIB準確定位切割，制備截面樣品，進行SEM和EDS能譜分析；
              3. 微納結構加工：在微納結構操作機械手、Omniprobe操作探針、離子束切割等的配合下，進行各種微納結構的搬運，以及各種顯微結構形狀或圖案的加工。
              
                    
              
                    
              
                        
              樣品要求
              
                        
              1. 粉末樣品：樣品尺寸至少為5μm以上，且無磁性；
              2. 薄膜/塊體樣品：最大尺寸不超過2cm，高度不超過3mm，可以有磁性，但強磁樣品應盡可能減小尺寸；
              3. 在送樣前，請通過掃描電子顯微鏡（SEM）確認樣品滿足FIB制樣的要求；
              4. 按照樣品個數計費，加工成品大小一般不超過長度 5μm*深度 5μm；如果樣品需要加工更大尺寸，請在下單前聯系技術經理進行評估和議價；
              5. 樣品應具有良好的導電性，如果導電性比較差，需要進行噴金或噴碳處理。
              
                    
              
                    
              
                            
              項目案例
              
                            
              
                                
              
                                    
              
                                            
                                            
              TEM制備多相和薄膜的TEM樣品
              
                                        
              
                                            
                                            
              電池正極材料的FIB截面的SEM及能譜表征
              
                                        
              
                                            
                                            
              FIB加工測試狗logo
              
                                        
              
                                            
                                            
              FIB三維重構圖像
              
                                        
                                              
              
                            
              
                        
                                  
              
                            
              常見問題
              
                            
              
                                
              
                                        
              1、FIB可以做什么？
              
                                        
              （1）FIB-SEM：FIB制備微納米級樣品截面，進行SEM和能譜測試。感興趣區域尺度要求200nm-30μm，通常切樣面寬度不超過10μm。
              （2）FIB-TEM：FIB制備滿足透射電鏡的 TEM截面樣品。樣品包括：薄膜、塊體樣品，微米級顆粒。樣品種類：陶瓷、金屬等。
              
                                    
              
                                        
              2、FIB制樣可能引入的雜質？
              
                                        
              W、C、Pt和Ga，其中W、C和Pt是為了保護減薄區域，Ga是離子源。如果樣品不導電可能噴Au或者噴Pt，從而引入這兩種元素。
              
                                    
              
                                        
              3、FIB樣品為什么需要導電？
              
                                        
              樣品是在SEM電鏡下進行操作，需要清晰地觀察到樣品的形貌，否則無法精準制樣。
              
                                    
              
                                        
              4、FIB-TEM的制樣流程是 ?
              
                                        
              (1）找到目標位置（定位非常重要），表面噴Pt、W或C進行保護目標區域； 
              (2）將目標位置前后兩側的樣品挖空，剩下目標區域后進行U-cut；
              (3）通過納米機械手將這個薄片取出，將樣品焊到銅網上的樣品柱上；
              (4）減薄到理想厚度后停止。
              
                                    
                                          
              
                        
                                                  
              
                
            
              
        
              
        
        
              
            
              
                
              
                    
              FIB云現場/現場
              
                                                                        
              
                                立即下單
                            
                              
              
            
              
        
              
    
              










    
    
    
    
    



    


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