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                電子背散射衍射(EBSD)-可云現(xiàn)場選區(qū)

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                電子背散射衍射(EBSD)-可云現(xiàn)場選區(qū)

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                如有各類設(shè)備采購需求,請聯(lián)系專屬顧問。

                張俊

                FTIR、EBSD測試工程師

                專長于納米材料表征和性能檢測,熟練運(yùn)用各類電鏡和光譜檢測技術(shù),具備豐富的設(shè)備操作和維護(hù)經(jīng)驗(yàn)。

                項(xiàng)目介紹

                背散射電子衍射裝置(Electron Back Scatter Diffraction, EBSD):是掃描電子顯微鏡(SEM)的附件之一。EBSD利用背散射電子衍射,獲取晶間取向、晶界類型、再結(jié)晶晶粒、微織構(gòu)、相辨別和晶粒尺寸測量等晶體學(xué)信息

                樣品要求

                1. 樣品尺寸大小不超過8X8mm,厚度不超過3mm,測試面需要表面光滑,沒有明顯劃痕;

                2. 若尺寸較大,請?zhí)崆熬€切割好,若需要我們線切割,需要額外收費(fèi);

                3. 送樣過程注意保護(hù)好測試面,避免劃傷

                4. 機(jī)械拋光適用于粗制樣品;電解拋光適合純金屬/第二相細(xì)小的合金;氬離子拋光適合金屬/金屬基復(fù)合材料,其拋光區(qū)域較小,一般800*800微米左右。

                項(xiàng)目案例

                EBSD微區(qū)取向成像

                EBSD反極圖的面分布圖

                背散射電子成像

                EBSD微區(qū)成像

                常見問題
                1、EBSD制樣有哪些方法?

                機(jī)械拋光、震動拋光、電解拋光、Ar離子拋光。

                2、EBSD能標(biāo)定晶體取向嗎?

                可以標(biāo)定晶體取向,此外,還可以表征晶粒結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸和晶界,但是無法把晶粒位置標(biāo)定在樣品上面。

                3、EBSD制樣怎么選擇拋光方法?

                一般情況下,成分單一的樣品選擇電解拋光;多相的、看樣品邊緣的、電解配方未知的、薄的樣品選擇震動拋光;由硬材料和軟材料組成的復(fù)合材料樣品,需要精細(xì)地制作軟硬接合部的截面,則選擇Ar離子截面拋光。

                4、EBSD分析思路?

                微觀組織分析:主要通過分析取向分布圖實(shí)現(xiàn),不同顏色的晶粒代表不同的取向,晶粒形狀大小反映材料變形或再結(jié)晶情況,根據(jù)相鄰晶粒夾角確定晶界類型,并用不同的顏色將晶界表示出來;

                取向分析:兩個(gè)相鄰晶粒可以用歐拉角分析、極圖分析等,大范圍晶粒取向用極圖或反極圖分析。

                電子背散射衍射(EBSD)-可云現(xiàn)場選區(qū)

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