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              等離子體聚焦離子束顯微鏡(PFIB)

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              等離子體聚焦離子束顯微鏡(PFIB)

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              如有各類設備采購需求,請聯系專屬顧問。

              黃歡

              TEM測試工程師

              3年透射電鏡(TEM)測試工作經驗。專長于常規材料的形貌分析,具備深入觀察材料微觀結構的能力。

              項目介紹

              等離子體聚焦離子束(PFIB)使用Xe氙作為離子源,Xe源電流2500nA,在離子材料去除上有更高的速率。雙束PFIB配備SEM實時成像,用于1000微米以內大尺寸切片,芯片局部去層可配合Nano Probe由于其離子電流比Ga高38倍,適用于SEM定位大尺寸的切割,芯片熱點位置可進行定點去層,大尺寸樣品可以邊切邊觀察,便于分析測試,配合Nano Probe、CAFM、EBSD制備,可以解決客戶3D防撞TSV定點截面分析、MEMS結構無形截面分析、光芯片光路截面分析、失效孤品去層分析的需求。

              樣品要求

              1. 粉末樣品:樣品尺寸至少為5μm以上,且無磁性;

              2. 薄膜/塊體樣品:最大尺寸不超過2cm,高度不超過3mm,可以有磁性,但強磁樣品應盡可能減小尺寸;

              3. 在送樣前,請通過掃描電子顯微鏡(SEM)確認樣品滿足PFIB制樣的要求;

              4. 按照樣品個數計費加工成品大小一般不超過長度 5μm*深度 5μm;如果樣品需要加工更大尺寸,請在下單前聯系技術經理進行評估和議價

              5. 樣品應具有良好的導電性,如果導電性比較差,需要進行噴金或噴碳處理。

              項目案例
              常見問題
              1、FIB可以做什么?

              (1)FIB-SEM:FIB制備微納米級樣品截面,進行SEM和能譜測試。感興趣區域尺度要求200nm-30μm,通常切樣面寬度不超過10μm。

              (2)FIB-TEM:FIB制備滿足透射電鏡的 TEM截面樣品。樣品包括:薄膜、塊體樣品,微米級顆粒。樣品種類:陶瓷、金屬等。

              2、FIB制樣可能引入的雜質?

              W、C、Pt和Ga,其中W、C和Pt是為了保護減薄區域,Ga是離子源。如果樣品不導電可能噴Au或者噴Pt,從而引入這兩種元素。

              3、FIB樣品為什么需要導電?

              樣品是在SEM電鏡下進行操作,需要清晰地觀察到樣品的形貌,否則無法精準制樣。

              4、FIB-TEM的制樣流程是 ?

              (1)找到目標位置(定位非常重要),表面噴Pt、W或C進行保護目標區域; 

              (2)將目標位置前后兩側的樣品挖空,剩下目標區域后進行U-cut;

              (3)通過納米機械手將這個薄片取出,將樣品焊到銅網上的樣品柱上;

              (4)減薄到理想厚度后停止。

              學術文章

              等離子體聚焦離子束顯微鏡(PFIB)

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