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                當前位置:材料測試 ?  成分分析 ? 

                靜態二次離子質譜(TOF-SIMS)

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                靜態二次離子質譜(TOF-SIMS)

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                如有各類設備采購需求,請聯系專屬顧問。
                項目介紹

                二次離子質譜SIMS是一種檢測固體表面及近表面的成分信息的技術,幾乎可以分析任何在真空中穩定的固體。它不僅可以進行全元素(從H到U)及同位素分析,同時還可以準確地識別原子團官能團,并對固體樣品進行微區分析成像深度動態分析

                SIMS技術對材料表面、界面的元素、分子結構進行分析,分析深度可達到表面1-3nm,檢出限可達ppm級別。它可以對樣品進行成像和成分定性鑒定,還可以實現三維成像、二維成像、質譜分析等。

                當前,SIMS已被廣泛應用于各種科學領域,包括半導體、生物、醫藥、化學、材料以及天體物理等研究領域。

                樣品要求

                1. 一般要求樣品無磁性,弱磁性樣品可以測試,無法測試強磁性樣品

                2. 粉末樣品至少為10mg;塊體樣品的尺寸小于1cm x 1cm x0. 8cm,最小幾毫米;

                3. 若需獲取3D圖,需在選項中選擇,默認情況下不提供;

                4. 深度分析的具體測試費用與深度、離子有關;

                5. 如果測試需要與之前的條件相同,請務必提供之前的測試條件;

                6. 正負離子測試是分開進行的,測試時間獨立計算;

                7. 務必在樣品非測試面上標記“×”,僅在測試單上描述是不夠的;

                8. 鐵、鈷、鎳、錳、釕等磁性元素的樣品定義為磁性樣品;不能被強磁鐵吸引的樣品為弱磁樣品,能被強磁鐵吸引的樣品為強磁樣品;請仔細檢查樣品磁性,因隱瞞樣品信息導致儀器損壞,需要您承擔全部賠償責任;

                :深度分析測試時間為1500元/樣(1小時內),超過1小時的部分將額外收取1000元/小時的費用。不同離子、不同樣品的測試時間均不疊加計算。

                項目案例

                ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 56151?56160:F8IC深度分析

                TOF-SIMS三維成像(3D圖)

                TOF-SIMS二維成像(Mapping)

                TOF-SIMS質譜圖

                常見問題
                1、離子后面帶的正或者負符號,為什么都是正一價或負一價?

                離子帶正或負的符號只是代表正離子或者負離子,與價態無關。

                2、在TOF-SIMS測試中,如果需要同時測試正負離子,那么需要分別使用不同的樣品進行測試嗎?可以在同一個樣品上選取不同的區域進行測試嗎?

                如果是測試質譜和二維成像,因為沒有損傷,可以選取同一個位置進行測試,且采集完正離子后可以繼續采集負離子信息;如果是做深度分析,則可以在同一個樣品上選取不同的區域,分別測試正離子和負離子。

                3、TOF-SIMS可以測離子含量嗎?

                不能。TOF-SIMS靜態二次離子質譜測試離子強度,為定性測試,不能定量。

                4、TOF-SIMS中,質譜測試濺射厚度是多深?

                一般濺射厚度為2到3層原子,小于1nm。

                靜態二次離子質譜(TOF-SIMS)

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