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              動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀可解決哪些問題?
              來源:測試GO 時間:2022-08-25 14:50:21 瀏覽:2016次

              動態(tài)-二次離子質(zhì)譜(D-SIMS)用氣體等離子源轟擊樣品,使樣品表面原子、分子或離子等濺射出來,用質(zhì)量分析器接收濺射出的二次離子,通過分析其質(zhì)荷比(m/z)得到的二次離子質(zhì)譜。因為D-SIMS的離子源是高密度離子束(原子劑量>1012 ions/cm2),對樣品的濺射影響很大,所以這是一種破壞性分析。此外,D-SIMS一般要求樣品導(dǎo)電性要好,主要用于無機樣品沿縱向方向的濃度剖析和進行痕量雜質(zhì)鑒定如地質(zhì)研究、同位素定量分析、半導(dǎo)體摻雜的深度分析等。

               

              D-SIMS測試可解決哪些問題有:

              1)定性檢測產(chǎn)品表面微小異物(≥10μm),尤其是在常規(guī)成分檢測方法無效時。

              2)檢測多層膜或單層膜的厚度和成分(厚度≥1nm)。

              3)分析表面超痕量物質(zhì)成分,確定外來污染與否,檢出限高達ppb級別。

              4)測試在摻雜工藝中由表到里,超低含量的物質(zhì)情況。

              5)元素含量的面分布圖、同位素豐度分析,逐層剝離、實現(xiàn)各成分的縱向剖析(AES、XPS只能分析縱向新生成的表面)

               

              D-SIMS測試的樣品要求:

              以固態(tài)薄層、表面平整材料為主,比如襯底或者薄膜。粉末、已封裝或者有結(jié)構(gòu)之類的特殊樣品需要進行適當制備。

              1、尺寸要求:5-10mm之間,厚度不超過1mm,真空保存,標記清楚測試面。

              2、分析面積100,200,300um見方居多,面積越大濺射速率越慢。

              3、測試厚度一般在5um之內(nèi),但不超過10um。

              4、部分樣品可以定量分析(比如,常見的硅中各種摻雜 B, P,As等;各類化合物半導(dǎo)體及其多層結(jié)構(gòu)等),取決于是否有合適的標準樣品。


              測試狗

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              全部 3小時前 四川
              文字是人類用符號記錄表達信息以傳之久遠的方式和工具。現(xiàn)代文字大多是記錄語言的工具。人類往往先有口頭的語言后產(chǎn)生書面文字,很多小語種,有語言但沒有文字。文字的不同體現(xiàn)了國家和民族的書面表達的方式和思維不同。文字使人類進入有歷史記錄的文明社會。
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