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                小角X射線散射(SAXS) 的基本原理與應(yīng)用
                來(lái)源:測(cè)試GO 時(shí)間:2021-01-21 23:06:21 瀏覽:33332次

                1導(dǎo)讀

                小角X射線散射(SmallAngleX-rayScattering,SAXS)是指當(dāng)X射線照射到試樣上,在靠近入射X光束周?chē)?°~5°的小角度范圍內(nèi)發(fā)生的散射現(xiàn)象。由于電磁波的散射遵循反比定律——被照物體的有效尺寸相對(duì)于入射波越大,電磁波的散射角越小,因此SAXS的研究主體主要是數(shù)百至上千埃的亞微觀結(jié)構(gòu)物質(zhì)(高聚物、蛋白質(zhì)、溶膠凝膠、超細(xì)粉末、多孔碳等)。總之,SAXS技術(shù)憑借其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì),已成為亞微觀結(jié)構(gòu)研究的主要工具之一。

                2SAXS簡(jiǎn)介

                2.1小角散射與大角衍射

                由于X射線具有極大的能量,當(dāng)其照射到晶體時(shí),晶體中的原子會(huì)在X射線的作用下被迫做周期性的運(yùn)動(dòng),從而會(huì)以原子球?yàn)閱挝粚?duì)外發(fā)射次生波,該波的頻率與入射X射線一致,這個(gè)過(guò)程就稱(chēng)為X射線的散射1)。

                圖1X射線與物質(zhì)的相互作用

                圖1

                由于散射效應(yīng)存在,X射線經(jīng)過(guò)物質(zhì)時(shí)會(huì)偏離原來(lái)的傳播方向。此時(shí)入射X光和散射X光就會(huì)發(fā)生如下兩種相互作用:

                1.若試樣具有周期性結(jié)構(gòu)(晶區(qū)),入射光和散射光之間沒(méi)有波長(zhǎng)的改變,則X射線發(fā)生相干散射,該過(guò)程稱(chēng)為大角X射線衍射

                2.若試樣內(nèi)部1~100nm量級(jí)范圍內(nèi)電子密度不均勻,即樣品在該范圍內(nèi)同時(shí)具有晶區(qū)和非晶區(qū),則散射X射線波長(zhǎng)發(fā)生改變,入射光和散射光發(fā)生不相干散射,該過(guò)程稱(chēng)為小角X射線散射

                SAXS的物理實(shí)質(zhì)在于散射體和周?chē)橘|(zhì)的電子云密度的差異[1]。凡是存在納米尺度的電子密度不均勻區(qū)的物質(zhì),均會(huì)產(chǎn)生小角散射現(xiàn)象。而對(duì)于完全均勻的物質(zhì),其散射強(qiáng)度為零。

                2.2SAXS的研究體系

                引起小角X射線散射的體系主要有以下幾類(lèi)(如2所示)。

                圖2各種

                圖2

                散射體系:(a)單散系;(b)稀疏取向系;(c)多分散系;(d)稠密

                顆粒系;(e)密度不均勻粒子系;(f)任意系;(g)長(zhǎng)周期結(jié)構(gòu)

                (1)單散系。由稀疏分散、隨機(jī)取向的、大小和形狀一致的,具有均勻電子云密度的粒子組成。這里所謂的大小和形狀一致是指根據(jù)不同的研究對(duì)象有不同程度的近似;隨機(jī)取向是指粒子在空間中處于各種取向的幾率相同;稀疏分散是指粒子的尺寸比粒子間的距離小得多,可以忽略粒子間散射的相干散射,將散射強(qiáng)度看作多個(gè)粒子的散射強(qiáng)度之和;內(nèi)部電子云密度均勻是指每一個(gè)顆粒內(nèi)部沒(méi)有電子密度起伏存在,各顆粒的電子密度都相同。

                (2)稀疏取向系。由相同形狀和大小、均勻電子云密度,但具有一致取向的顆粒構(gòu)成的稀疏顆粒體系。

                (3)多分散系。由形狀和電子云密度相同,但是尺寸不同粒子所形成的隨機(jī)取向、稀疏分布的粒子體系。

                (4)稠密粒子系。大小、形狀和電子云密度相同,隨機(jī)取向的,粒子間距很小的粒子體系。(5)密度不均勻粒子系。大小、形狀相同,隨機(jī)取向的,稀疏分布的,電子云密度不均勻的粒子體系。

                (6)任意系。不包括上述幾種體系;包括不能用顆粒概念來(lái)描述的有電子密度起伏的散射體。(7)長(zhǎng)周期結(jié)構(gòu)。在高聚物和生物體中,經(jīng)常出現(xiàn)由結(jié)晶區(qū)和非結(jié)晶區(qū)交替排列而形成的長(zhǎng)周期結(jié)構(gòu)。

                2.3SAXS可探測(cè)的物質(zhì)結(jié)構(gòu)

                3對(duì)比了不同儀器可能探測(cè)的物質(zhì)結(jié)構(gòu)尺寸范圍,4給出SAXS對(duì)應(yīng)的介觀結(jié)構(gòu)解析。

                圖3不同儀器的應(yīng)用范圍[1-2]

                圖3

                圖4常用的用于SAXS的介觀結(jié)構(gòu)

                圖4

                經(jīng)過(guò)實(shí)踐驗(yàn)證,SAXS可以得到試樣內(nèi)統(tǒng)計(jì)平均信息。液體、粉末、薄膜、塊體材料甚至活體都可以測(cè)試。某些高分子材料可以給出足夠強(qiáng)的小角散射信號(hào),單由TEM得不到清晰有效的信息。對(duì)于多孔材料,不管是開(kāi)孔還是閉孔,SAXS都能檢測(cè)到,而電鏡和氣體吸附法不能確定封閉孔。

                3SAXS基礎(chǔ)理論

                小角X射線散射強(qiáng)度受粒子尺寸、形狀、分散情況、取向及電子密度分布等的影響。[2]對(duì)于稀疏分散、隨機(jī)取向、大小和形狀一致,且每個(gè)粒子內(nèi)部具有均勻電子密度的粒子組成體系,其散射強(qiáng)度為:

                式中h—散射矢量,Ie—單電子的散射強(qiáng)度,ρ0—粒子的電子密度,V—粒子的體積,R—粒子的半徑,φ—散射函數(shù),λ—入射X射線的波長(zhǎng),2θ—散射角。

                對(duì)于不規(guī)則形狀的粒子體系,其散射強(qiáng)度不同,表現(xiàn)為散射函數(shù)φ(hR)不同。同樣,具有一致取向的粒子構(gòu)成的稀疏粒子體系與無(wú)取向的粒子體系的散射強(qiáng)度也不同。

                3.1Guinier近似定律

                Guinier公式描述了M個(gè)不相干涉的粒子體系的散射強(qiáng)度[3]:式中n為粒子所含的總電子數(shù);Rg為旋轉(zhuǎn)半徑,即粒子中各個(gè)電子與其質(zhì)量重心的均方根距離:

                式中rk—第K個(gè)散射元與粒子質(zhì)量重心的距離,fk—第k個(gè)散射元的散射因子,對(duì)上式兩邊取對(duì)數(shù),并以In(h)對(duì)h2作圖,從斜率可求出粒子的旋轉(zhuǎn)半徑Rg。經(jīng)變換,由旋轉(zhuǎn)半徑Rg可以得到粒子的半徑R。

                粒子形狀不同,其變換公式也不同。其中球形粒子的變換公式為:

                3.1Porod定律

                Porod定律指出,當(dāng)體系由具有明銳界面的兩相構(gòu)成時(shí),其散射強(qiáng)度在無(wú)限長(zhǎng)狹縫準(zhǔn)直系統(tǒng)情況下滿(mǎn)足:式中,KpPorod常數(shù)。也就是說(shuō),當(dāng)h趨于極大值時(shí),hI(h)趨于一個(gè)常數(shù),則表明粒子具有明銳的相界面。反之,當(dāng)h趨于大值時(shí),若hI(h)不趨于一常數(shù),則表明粒子沒(méi)有明銳的界面,即表現(xiàn)為對(duì)Porod定理的偏離,如5所示。其中,曲線發(fā)生正偏移,說(shuō)明體系中除散射體外還存在電子密度不均勻區(qū)或者熱密度起伏;曲線發(fā)生負(fù)偏移,說(shuō)明兩相間界面模糊,存在彌散的過(guò)渡層,因此由負(fù)偏離可以計(jì)算出界面層厚度t

                圖5Porod定律及其偏離[3]

                圖5

                4SAXS的典型應(yīng)用

                SAXA的應(yīng)用廣泛,現(xiàn)按照定性和定量分析歸納如下:

                4.1定性分析

                ①散射體的分散性(單分散或多分散,Guinier圖判定);

                ②兩相界面是否明銳(對(duì)Porod或Debye定理的負(fù)偏移);

                ③每一相內(nèi)電子密度的均勻性(不均勻才存在散射);

                ④有長(zhǎng)周期結(jié)構(gòu)的高聚物結(jié)晶核非晶的判斷、取向的判斷及相變;

                ⑤極稀溶液中的粒子形狀判斷(距離分布函數(shù)圖);

                ⑥散射體(介孔)的分形特征(表面、質(zhì)量)。

                4.2定量分析

                ①散射體尺寸分布、平均尺度、回轉(zhuǎn)半徑、相關(guān)距離、平均壁厚(由Guinier曲線計(jì)算);

                ②散射體體積分?jǐn)?shù)、比表面積、平均界面層厚度、分形維數(shù)(由Porod曲線計(jì)算)

                ③粒子形狀及Dmax(由距離分布函數(shù)得出);

                ④根據(jù)幾階散射的q值比值判斷相位(有序結(jié)構(gòu))。

                5實(shí)例分析

                (一)測(cè)定納米顆粒的粒度分布

                SAXS被廣泛用來(lái)測(cè)定納米粉末的粒度分布。與傳統(tǒng)的粒度分析儀、SEM、TEM測(cè)試結(jié)果不同,SAXS測(cè)試的粒度分析結(jié)果所反映的既非晶粒亦非團(tuán)粒,而是一次顆粒的尺寸。于吉順等人利用X’PertMPDPro衍射儀上利用X射線小角散射法對(duì)納米氧化鋯的粒度分布進(jìn)行了測(cè)定(6)。

                圖6納米氧化鋯粒度分布直方圖[4]

                圖6

                (二)測(cè)定兩相界面薄膜結(jié)構(gòu)

                劉曉旭等通過(guò)小角X射線散射試驗(yàn)對(duì)無(wú)機(jī)納米雜化Al2O3/PI(聚酰亞胺)薄膜的微觀結(jié)構(gòu),包括納米顆粒的尺寸以及納米顆粒與基體的界面情況進(jìn)行了分析。通過(guò)Guinier曲線(7)低角區(qū)域線性部分的擬合,得到試樣中氧化鋁顆粒的旋轉(zhuǎn)半徑約為6nm,表明在無(wú)機(jī)納米雜化薄膜體系中,納米顆粒未發(fā)生團(tuán)聚。

                圖7Guinier曲線(上)及In[I(q)]與q2的關(guān)系(下)[5]

                圖7

                通過(guò)觀察Porod曲線(圖8)發(fā)現(xiàn),隨散射矢量h值的增大,曲線趨于水平直線。根據(jù)小角X射線散射理論中的Porod定律可知,該復(fù)合薄膜中納米顆粒與基體間的界面明確,說(shuō)明薄膜中的PI分子鏈與與無(wú)機(jī)納米顆粒間并未發(fā)生相互擴(kuò)散、滲透以及纏結(jié)等現(xiàn)象。無(wú)機(jī)納米顆粒與有機(jī)分子鏈主要是通過(guò)化學(xué)鍵錨定在一起,此界面結(jié)構(gòu)與經(jīng)典的有機(jī)與無(wú)機(jī)相結(jié)合的化學(xué)鍵理論相一致。

                圖8Porod曲線[5]

                圖8

                (三)研究合金中的析出相

                JerzyAntonowicz等[6]人利用小角X射線散射技術(shù)研究了二元快淬非晶合金Al91Gd9在退火狀態(tài)下的相分離以及納米晶的形成過(guò)程。由小角X射線散射圖譜(9)可知,隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng),最大散射峰強(qiáng)度增大,其位置向小角區(qū)域移動(dòng)。其散射極大值的出現(xiàn)源于非晶基體中10nm左右的成分波動(dòng)(即10nm左右尺度的富鋁或富釓區(qū)域)。峰值位置移向小角區(qū)域說(shuō)明相分離粗化過(guò)程中成分起伏的尺度增大,從而推動(dòng)了富鋁區(qū)域面心立方納米晶鋁的形成。

                圖9Al91Gd9合金在453K退火時(shí)SAXS譜的演變[6]

                圖9

                6參考文獻(xiàn)

                [1]GUINIERA,FOURNETG.Small-anglescatteringofX-ray[M].NewYork:JohnWiley&Sons,Inc,1995.

                [2]朱育平.小角X射線散射———理論、測(cè)試、計(jì)算及應(yīng)用M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2005.

                [3]孟昭富.小角X射線散射理論及應(yīng)用[M].吉林:吉林科學(xué)技術(shù)出版社,1995.

                [4]于吉順,肖平.X射線小角散射法對(duì)納米氧化鋯粒度分布的研究[J].材料導(dǎo)報(bào),2007,21(11):198-203.

                [5]劉曉旭,殷景華.Al2O3/PI薄膜納米顆粒形態(tài)的SAXS研究[J].核技術(shù),2009,32(12):901-903.

                [6]ANTONWICZJ,KEDZIERSKIM.Small-angleX-rayscatteringfromphase-separatingamorphousmetallicalloysundergoingnanocrystallization[J].JournalofAlloysandCompounds,2009,483:116-119.

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