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              楊培東院士團(tuán)隊(duì),最新Nano Letters!
              來源: 時(shí)間:2024-05-27 09:36:51 瀏覽:1280次

              第一作者:Han K. D. Le、 Ye Zhang

              通訊作者:楊培東院士

              通訊單位:加州大學(xué)伯克利分校

              DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c00453.



              研究背景



              鈣鈦礦由于高度可調(diào)諧性和在單一的鈣鈦礦材料中實(shí)現(xiàn)兩個(gè)或兩個(gè)以上的關(guān)鍵功能共存的能力,成為了引人注目的材料,廣泛應(yīng)用于電子、光子學(xué)和光電子領(lǐng)域。鐵電是一種自發(fā)的電極化,可通過外部電場(chǎng)調(diào)節(jié)是其中一個(gè)重要的功能,長(zhǎng)期以來在納米電子學(xué)和非易失性存儲(chǔ)器件的應(yīng)用中得到了廣泛的關(guān)注。傳統(tǒng)的鐵電體,包括鈣鈦礦氧化物,通常是具有低載流子遷移率、寬帶隙(3-5 eV)和不發(fā)光的絕緣體,限制了它們?cè)诟鞣N光電技術(shù)中的應(yīng)用。基于此,加州大學(xué)伯克利分校楊培東院士等人通過氣相沉積法在白云母基質(zhì)上外延生長(zhǎng)得到了鹵化物鈣鈦礦納米線鐵電物質(zhì)CsGeX3(X=Br、I),并研究了CsGeX3的光學(xué)特性。



              文章要點(diǎn)



              1、作者研究了通過氣相沉積的CsGeX3納米線陣列在單晶氣相云母基質(zhì)上的大規(guī)模外延生長(zhǎng),并通過詳細(xì)的結(jié)構(gòu)表征驗(yàn)證了納米線對(duì)于云母基質(zhì)的取向和外延關(guān)系,證實(shí)了范德瓦爾斯外延生長(zhǎng)是實(shí)現(xiàn)高度排列的鹵化物鈣鈦礦納米結(jié)構(gòu)的一種較佳策略。

              2、通過研究CsGeBr3和CsGeI3納米線的黃綠色和紅色發(fā)射,展示了它們的光學(xué)能力和作為半導(dǎo)體光電器件的潛力。研究表明,CsGeX3納米線是一種很有前途的光驅(qū)動(dòng)多功能納米鐵電器件的候選材料。



              圖文展示



              圖1.生長(zhǎng)在白云母基底上的CsGeBr3納米線的形貌和結(jié)構(gòu)表征

              圖2.生長(zhǎng)在白云母上的CsGeX3(X = Br,I)納米線的光學(xué)表征

              圖3.通過二次諧波(SHG)測(cè)量來表征CsGeBr3納米線的鐵電相變

              圖4.CsGeBr3納米線的偏振相關(guān)SHG測(cè)量和空間映射

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