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    循環(huán)伏安法的主要應(yīng)用
    來(lái)源:測(cè)試GO 時(shí)間:2021-01-22 17:30:20 瀏覽:29646次

    1引言

    循環(huán)伏安法(CyclicVoltammetry,CV)是一門(mén)重要的電化學(xué)研究技術(shù),對(duì)于分析電化學(xué)體系中物質(zhì)的轉(zhuǎn)變,電極反應(yīng)速率,反應(yīng)控制步驟,及反應(yīng)動(dòng)力學(xué)等環(huán)節(jié)具有不可替代的作用。只要弄清了電極反應(yīng)的基本過(guò)程和影響反應(yīng)進(jìn)程的關(guān)鍵因素,就能有效地人為控制電極反應(yīng)的方向和速率,從而為生產(chǎn)和科學(xué)研究給出可靠的理論指導(dǎo)。上次我們講解了循環(huán)伏安法的基本原理及實(shí)驗(yàn)操作,這次我們講解循環(huán)伏安法的一些具體應(yīng)用。

    2循環(huán)伏安法的應(yīng)用

    2.1電極過(guò)程熱力學(xué)行為解讀

    電化學(xué)反應(yīng)的實(shí)質(zhì),即兩類(lèi)導(dǎo)體界面發(fā)生的有電子參加的氧化或還原反應(yīng)[1-2]一般而言,電極表面的電化學(xué)反應(yīng)包括多個(gè)單元步驟,如1所示,只有當(dāng)每個(gè)單元反應(yīng)都能發(fā)生時(shí),電極反應(yīng)才能正常進(jìn)行。

    圖1一般電極過(guò)程示意圖[2]

    圖1

    雖然電極過(guò)程的步驟較多,但其電子轉(zhuǎn)移過(guò)程才是電化學(xué)反應(yīng)的核心,電極反應(yīng)過(guò)程中物質(zhì)的轉(zhuǎn)化也主要是在該階段發(fā)生,通過(guò)循環(huán)伏安法我們可以清晰得了解電極反應(yīng)過(guò)程中物質(zhì)變化的規(guī)律。下面給出兩類(lèi)常見(jiàn)的應(yīng)用:

    A.判斷電極反應(yīng)的可逆程度

    判斷電極反應(yīng)可逆程度是CV分析中非常重要的一環(huán)。在CV測(cè)試中,同一電極上的氧化/還原反應(yīng)在時(shí)間上是分開(kāi)的。對(duì)于可逆電極反應(yīng)來(lái)說(shuō),循環(huán)伏安圖正掃和負(fù)掃階段的電流-電壓曲線在形狀上是對(duì)稱(chēng)的,如果出現(xiàn)本來(lái)存在的峰消失或新的峰生成,說(shuō)明電極界面上發(fā)生了不可逆的反應(yīng)。除了形狀上對(duì)稱(chēng),陰極(cathode)峰電流(Ipc)、峰電位(φpc)和陽(yáng)極(Anode)峰電流(Ipa)、峰電位(φpa)滿(mǎn)足一定的關(guān)系:峰電流:Ipc=Ipa峰電位:Δφ=φpapc=2.22RT/nF(mV);當(dāng)T=25時(shí),Δφ=55.6/n(mV)

    2給出了三種典型的循環(huán)伏安曲線,曲線A中,陰極峰和陽(yáng)極峰峰形對(duì)稱(chēng),峰高基本一致,說(shuō)明發(fā)生在電極/電解液界面上的反應(yīng)高度可逆;在曲線B中,雖然還原峰和氧化峰都存在,但還原峰的峰強(qiáng)明顯低于氧化峰的峰強(qiáng),說(shuō)明電極反應(yīng)部分可逆;在曲線C中,氧化峰可見(jiàn)而還原峰已基本不可見(jiàn),說(shuō)明反應(yīng)是不可逆的。

    圖2三種典型的電化學(xué)體系的CV曲線[1]

    圖2

    除此之外,還有一類(lèi)準(zhǔn)可逆電化學(xué)反應(yīng)的循環(huán)伏安曲線,它的峰形、峰電位以及峰電流除了與轉(zhuǎn)移的電荷數(shù)、溫度、反應(yīng)物/產(chǎn)物濃度-擴(kuò)散等有關(guān)系外,還與電位掃描速率有關(guān)系。一般而言,隨著掃速增加,準(zhǔn)可逆電化學(xué)反應(yīng)的氧化峰和還原峰之間的電位差Δφ會(huì)逐漸變大(3)。但對(duì)于完全可逆的電化學(xué)體系,這種情況就不存在,如4所示,隨著掃速的增加,氧化峰和還原峰的電位基本未發(fā)生改變。

    圖3準(zhǔn)平衡電化學(xué)系統(tǒng)的CV曲線

    圖3

    圖4平衡電化學(xué)系統(tǒng)的CV曲線

    圖4

    B.分析電極反應(yīng)機(jī)制

    分析電極反應(yīng)機(jī)制,了解電極反應(yīng)中物質(zhì)的轉(zhuǎn)變也意義重大。在CV曲線中,掃描電壓從負(fù)到正可以看為陽(yáng)極氧化過(guò)程,對(duì)應(yīng)氧化峰;反之為陰極還原過(guò)程,對(duì)應(yīng)還原峰。一般而言,氧化還原峰的產(chǎn)生會(huì)伴隨著氧化態(tài)物質(zhì)和還原態(tài)物質(zhì)的相互轉(zhuǎn)變。5給出了Bi2Se3負(fù)極在鈉半電池中的CV曲線,其中出現(xiàn)了多對(duì)氧化還原峰,峰形尖銳分布較窄,說(shuō)明在電化學(xué)的過(guò)程中可能存在多種物相轉(zhuǎn)變。從CV曲線上峰的個(gè)數(shù)可以判斷一個(gè)完整的電化學(xué)反應(yīng)存在的相變,但要分析各個(gè)峰位置上的物相變化必須要結(jié)合原位/非原位的物相鑒定技術(shù),才能使結(jié)果可靠。因此,作者又聯(lián)合原位XRD技術(shù)對(duì)Bi2Se3在充放電過(guò)程中物相的變化進(jìn)行表征,結(jié)果發(fā)現(xiàn)在放電過(guò)程中,Bi2Se3先轉(zhuǎn)變成NaBiSe2晶體,再轉(zhuǎn)變成Na2Se和Bi,完全放電后轉(zhuǎn)變成Na2Se和NaBi;而在隨后的充電階段,活性物質(zhì)沒(méi)有恢復(fù)成Bi2Se3,而是轉(zhuǎn)化成了Bi金屬和NaBiSe2晶體。

    圖5Bi2Se3負(fù)極的CV曲線[3]

    圖5

    2.2電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)行為解讀

    電極過(guò)程熱力學(xué)關(guān)心的是使電極表面物質(zhì)發(fā)生相變或狀態(tài)變

    化所需要的條件,而動(dòng)力學(xué)行為則關(guān)注電化學(xué)過(guò)程發(fā)生的快慢問(wèn)題。研究電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)行為,就是找出電極過(guò)程的控制步驟,分析相關(guān)的動(dòng)力學(xué)參數(shù),通過(guò)采取措施人為改變?cè)摬襟E或增強(qiáng)其反應(yīng)速率,從而達(dá)到改善/加快電化學(xué)反應(yīng)速率的目的。常見(jiàn)的應(yīng)用包括判斷影響電極反應(yīng)的主導(dǎo)因數(shù)-吸附/擴(kuò)散,計(jì)算物質(zhì)擴(kuò)散速率,分析材料的電催化特性等。

    6給出了CV在電容器領(lǐng)域用于計(jì)算材料的電容量的實(shí)例。其中,圖6A給出了不同材料的CV曲線,并利用了積分法(圖6B)計(jì)算并比較他們的電容量。不難發(fā)現(xiàn)在相同的測(cè)試條件下,SM樣品的CV曲線接近矩形,說(shuō)明其電極行為主要是電容行為,其CV曲線面積最大,經(jīng)過(guò)計(jì)算其電容量也最高。

    圖6不同材料的CV曲線及電容量[4]

    圖6

    圖7三種催化劑的線性伏安曲線和塔菲爾曲線[5]

    圖7

    電催化領(lǐng)域CV可用于計(jì)算Tafel斜率,從而直觀判斷電催化活性。7a給出了三種催化劑對(duì)催化OER反應(yīng)的線性?huà)呙枨€,不同金屬化合物對(duì)于吸氧反應(yīng)的催化,并通過(guò)轉(zhuǎn)化得到其對(duì)應(yīng)的Tafel曲線(7b);Tafel斜率越小,表明速率決定步驟在多電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)的末端,這通常是一個(gè)好的電催化劑的標(biāo)志。三種催化劑中,F(xiàn)e0.33Co0.67OOHPNSAs/CFC樣品的Tafel斜率最小,說(shuō)明電流密度增長(zhǎng)越快,過(guò)電位(η)變化越小,也就說(shuō)明其電催化性能越好。

    圖8FeS2負(fù)極負(fù)極在不同掃速下的CV曲線和峰電位處I-V1/2的擬合曲線[6]

    圖8

    在二次離子電池體系中CV則可以用于計(jì)算分析電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中離子的擴(kuò)散速率D、分析電極表面反應(yīng)過(guò)程的主導(dǎo)因素。對(duì)于可逆的電化學(xué)反應(yīng),其峰電流Ip可以由Randles-Sevcik公式計(jì)算,如下所示:

    Ip=2.69×105n3/2AC0D1/2ν1/2

    其中n為交換電子數(shù),A為電極/電解液接觸面積,C0為擴(kuò)散離子濃度,D為擴(kuò)散系數(shù),v為掃描速率。8給出了不同FeS2負(fù)極在不同掃速下的CV曲線,通過(guò)擬合不同峰位置的峰電流Ipν1/2的斜率,帶入Randles-Sevcik公式,就可以得到不同峰位置的鋰離子擴(kuò)散系數(shù)D

    除了這些典型應(yīng)用之外,CV在電化學(xué)分支學(xué)科中的交叉應(yīng)用也愈發(fā)普遍。如鋰離子電池中電極材料在充放電的過(guò)程中同時(shí)存在法拉第反應(yīng)和非法拉第反應(yīng),這二者究竟是誰(shuí)主導(dǎo)了整個(gè)電化學(xué)反應(yīng)進(jìn)程,可以通過(guò)循環(huán)伏安技術(shù)來(lái)分析;[6]再比如,鋰-硫電池中經(jīng)常引入“催化劑”來(lái)加速多硫化物轉(zhuǎn)化,從而提高鋰硫電池動(dòng)力學(xué)。那么,金屬化合物對(duì)多硫化物催化行為究竟有多快,我們可以借鑒電催化的理論,分析其線性伏安曲線和Tafel曲線,從而獲得準(zhǔn)確科學(xué)的判斷。[7]諸如此類(lèi)的例子多不勝數(shù),在此就不一一舉例了。

    5參考文獻(xiàn)

    [1]李荻.電化學(xué)原理第3版[M].電化學(xué)原理,第3版.北京航空航天大學(xué)出版社,2008.

    [2]楊文治.電化學(xué)基礎(chǔ)[M].北京大學(xué)出版社,1982.

    [3]Li,Dan,Zhou,.Graphene-LoadedBi2Se3:AConversion-Alloying-typeAnodeMaterialforUltrafastGravimetricandVolumetricNaStorage[J].ACSappliedmaterials&interfaces,2018.

    [4]LinT,ChenIW,LiuF,etal.Nitrogen-dopedmesoporouscarbonofextraordinarycapacitanceforelectrochemicalenergystorage[J].ence,2015,350(6267):1508-1513.

    [5]YeSH,ShiZX,FengJX,etal.ActivatingCoOOHPorousNanosheetArraysbyPartialIronSubstitutionforEfficientOxygenEvolutionReaction[J].AngewandteChemie,2018,130(10):2702-2706.

    [6]Jing,P.,Q.Wang,B.Wang,etal,Encapsulatingyolk-shellFeS2@carbonmicroboxesintointerconnectedgrapheneframeworkforultrafastlithium/sodiumstorage.Carbon,2020.159:p.366-377.

    [7]WangY,ZhangR,PangY,etal.Carbon@titaniumnitridedualshellnanospheresasmulti-functionalhostsforlithiumsulfurbatteries[J].EnergyStorageMaterials,2019,16:228-235.

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